实操教程“微乐捉老麻子开挂神器下载安装”分享用挂教程
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在AI永不满足的需求驱动下，全球存储芯片市场正进入一场前所未有的“饥饿游戏”。
据追风交易台消息 ，摩根大通分析师Jay Kwon、Sangsik Lee等在近日发布的报告中表示 ，由云服务提供商引领的“内存饥渴”趋势正在推动整个行业进入结构性增长阶段 。
报告指出，这一轮周期的核心驱动力来自AI计算对高性能内存的巨大需求，其影响已从高端的高带宽内存（HBM）迅速扩展至传统DRAM和NAND闪存 。市场动态显示 ，供应商在未来12个月内可能难以满足全部需求 ，从而支撑价格持续走强。
这场行业变局不仅限于DRAM市场的价格复苏，NAND闪存市场同样在经历强劲反弹 ，部分原因是硬盘驱动器（HDD）出现严重短缺 ，迫使客户转向企业级固态硬盘（eSSD） 。
因此，摩根大通大幅上调了全球存储市场的规模预测 ，将2025至2026年的全球存储市场总体有效市场规模（TAM）预测上调了6%至24% ，并预计到2027年，市场规模将达到近3000亿美元 。
报告明确指出 ，DRAM市场正迎来一个从2024年持续至2027年的“前所未有的四年定价上行周期 ”。这一罕见的长周期打破了过去数年“大起大落 ”的行业规律 ，其背后的稳定器正是HBM 。
报告预测，到2027年 ，HBM在DRAM市场总价值中的占比将高达43% 。HBM的高价值和强劲需求将有效平滑传统DRAM价格的周期性波动 ，从而抬高整个DRAM市场的利润底线。
报告认为，即使在2026年HBM3E产品可能因供应增加而降价，但由于下一代HBM4将享有约35%的溢价 ，混合HBM平均售价（ASP）在2026年仍不太可能下降 。
竞争格局方面 ，SK海力士被认为在HBM4的竞赛中处于领先地位，有望比竞争对手更早获得英伟达的认证 ，这可能使其占据超过60%的市场份额 。报告认为 ，三星电子和美光或将争夺剩余的HBM4订单。
本轮存储芯片需求的广度是其核心特征之一 。除了作为焦点的HBM，需求正向更多元化的应用扩展 ，共同加剧了供应紧张的局面 。
报告强调 ，用于英伟达下一代Vera CPU的SOCAMM2内存模组，以及用于Rubin CPX GPU的GDDR7显存 ，都将成为拉动DRAM需求的新增长点。
AI推理 、AI服务和边缘AI应用的兴起 ，要求通用服务器也必须升级内存配置，以获得更低的延迟和更优的功耗表现。
基于此 ，摩根大通大幅上调了全球存储市场的规模预测 ，将2025至2026年的全球存储市场总体有效市场规模（TAM）预测上调了6%至24%，并预计到2027年，市场规模将达到近3000亿美元 。
报告预计 ，到2027年 ，仅AI相关应用就将占据DRAM市场 TAM的53% 。为应对需求激增，存储芯片制造商预计将在2026至2027年将资本支出（Capex）提高7%至12% ，其中DRAM的产能扩张将是优先事项。
在经历了长达两年的投资不足后 ，NAND闪存市场也迎来了强劲的定价复苏 。
报告分析，这一转变主要得益于企业级固态硬盘（eSSD）需求的激增 。一个关键的外部因素是传统硬盘驱动器（HDD）的供应短缺。据媒体报道 ，部分近线HDD的交付周期已长达52周 。这使得原本主要由HDD主导的近线存储市场 ，开始大规模将eSSD作为替代方案 。
与此同时，随着AI模型从训练转向推理应用 ，对数据读取速度和延迟的要求变得更高 ，这使得NAND的结构性重要性日益凸显。
摩根大通预计，NAND价格仍有进一步上涨空间 ，其混合平均售价在2026财年将同比增长7% 。报告同时补充称 ，虽然AI推理对存储的需求是结构性的，但其确定性不如HBM之于GPU计算，因此对NAND市场的长期前景持相对审慎乐观的态度 。
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